BUSINESS REGISTRATION NUMBER
BRN 66290089
仍注册

皋创半导体科技(香港)有限公司

Gao Chuang Semiconductor Technology (Hong Kong) Co., Limited

登记册核验:2026-09-30
尽调查册:197 次
司法管辖地:中国香港

【皋创半导体科技(香港)有限公司】(Gao Chuang Semiconductor Technology (Hong Kong) Co., Limited)于2016-06-14依据香港特别行政区《公司条例》(第622章)注册成立(已运营10年5个月),法团类别为私人股份有限公司,法定现状为【仍注册】。公司注册编号(CR/CRN)为2389763,商业登记证号(BR/BRN)为66290089。公司法定注册办事处设于“香港湾仔骆克道300号浙江兴业大厦12楼A室”。在官方存档卷宗方面,该公司最新一份周年申报表(表格NAR1)官方存档日期为2026-06-15(每年法定42天申报窗口为06月14日至07月26日);目前注册处已索引20份法定存档文件(归档年份横跨 2016–2026 年,最新归档日期 2026-06-15),涵盖7份周年申报表(NAR1)、6份董事及秘书变更通知(ND2A)、5份注册地址变更通知(NR1)。

一、公司法定登记资料与商业登记证 (BR) 现状核验

中文法定名称 皋创半导体科技(香港)有限公司 英文法定名称 Gao Chuang Semiconductor Technology (Hong Kong) Co., Limited
公司注册编号 (CRN) 2389763 商业登记号码 (BRN)
66290089
成立日期 2016-06-14 公司类别 私人股份有限公司
公司现状 仍注册 法定申报周期
2027-06-14(2026年度已申报)
注册办事处地址
香港湾仔骆克道300号浙江兴业大厦12楼A室浙江兴业大厦 · 湾仔 · 同厦法团 18,831 家 →
重要控制人 (SCR) 依法备存。如需穿透实益拥有人(UBO)及持股架构,请申请商业尽调报告。

二、公司注册处官方存档文件查册(最新 NAR1 周年申报表 / 公司章程 / ND2A 董事名册 / CTC核证副本)

项次存档日期文件编号文件名称页数收费调阅
12026-06-1523302563345
NAR1
周年申报表 (2026) (英)含最新股东持股与在任董事
9HK$ 28
22025-06-1622902971901
NAR1
周年申报表 (2025) (英)
9HK$ 28
32025-05-2623302394271
NR1
更改注册办事处地址通知书 (英)
1HK$ 20
42025-05-2623302394270
ND2A
更改公司秘书及董事通知书 (委任/停任) (英)
3HK$ 20
52025-04-2322001789929
ND2A
更改公司秘书及董事通知书 (委任/停任) (英)
3HK$ 20
62025-04-2224001815315
NR1
更改注册办事处地址通知书 (英)
1HK$ 20
72025-04-2222001787761
ND4
公司秘书及董事辞职通知书 (英)
2HK$ 20
82025-01-0224001731508
ND2A
更改公司秘书及董事通知书 (委任/停任) (英)
3HK$ 20
92025-01-0224001731427
NR1
更改注册办事处地址通知书 (英)
1HK$ 20
102024-06-2023502139189
NAR1
周年申报表 (2024) (英)
9HK$ 28

三、商业尽职调查与司法诉讼排查(法院诉讼、清盘呈请、重要控制人 SCR 穿透与行政处分排查)

经交叉核验香港 32 类监管名册、各级法院案卷及制裁名册:录得 0 项持牌、0 项公开涉诉或清盘记录、0 项制裁命中。

四、香港公司商业查册与尽调合规常见疑问解答

现行登记地址为:“香港湾仔骆克道300号浙江兴业大厦12楼A室”。 官方存档卷宗共记载 5 次法定地址变更申报记录(Form NR1)。

调阅法定存档